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微電子芯片工業(yè)的廢水的處理方法?

來源:本站

  微電子芯片是一種將某個(gè)子系統(tǒng)或電子功能部件集成于芯片中,從本質(zhì)上來看微電子芯片的核心在于集成電路,它是在各類半導(dǎo)體器件不斷發(fā)展過程中所形成。

  半導(dǎo)體微電子芯片在制造過程中,需通過一系列的光刻、刻蝕、沉積、離子注入、研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導(dǎo)體芯片,在形成終端產(chǎn)品前還需進(jìn)行封裝和電性測(cè)試,在整個(gè)過程中將會(huì)產(chǎn)生大量的工業(yè)廢水,下面了解一下關(guān)于:微電子芯片工業(yè)的廢水的處理方法
 

芯片工業(yè)廢水,廢水處理方法

  宏森環(huán)保處理微電子芯片工業(yè)廢水采用間歇式活性污泥法、曝氣生物濾池或者是生物接觸氧化法,微電子芯片工業(yè)廢水處理工藝流程:

  1、廢水的數(shù)值PH值為4~6狀態(tài)下,使用片狀石灰鈣固定塊,孔徑為0.3-0.5,作為吸附物的載體,并在上述片狀石灰鈣固定塊覆蓋固定網(wǎng);

  2、在池內(nèi)加入中和劑和混凝劑,再次測(cè)試PH值如果為達(dá)到4,將輔助混凝劑導(dǎo)入池內(nèi),再導(dǎo)入冷凝效應(yīng)器中,完成混凝后以厭氧狀態(tài)將其導(dǎo)出;

  3、進(jìn)行快速凝聚反應(yīng),其中輔凝劑加入后靜置2小時(shí);

  4、將廢水噴射到蒸發(fā)器的中進(jìn)行蒸發(fā)處理,廢水全部脫水為氣態(tài),蒸發(fā)時(shí)間為12~16h,蒸發(fā)溫度為180~220℃;

  5、導(dǎo)入蒸發(fā)器中得廢水濃度為允許上限PH在4,一旦達(dá)到停止繼續(xù)放入廢水;

  6、廢氣導(dǎo)入冷凝塔,噴淋霧狀中和劑,中和劑溫度在10℃~12℃;

  7、完成冷凝,剩余的廢氣進(jìn)入等離子反應(yīng)器中進(jìn)行電離處理;

  8、冷凝塔抽取的反應(yīng)水,導(dǎo)入最終反應(yīng)池中,導(dǎo)入廢水處理劑,該廢水處理劑包括凈水劑聚合氯化鋁共聚物和芬頓試劑;以廢水處理劑的總重量為基準(zhǔn),所述聚合氯化鋁共聚物共聚物的含量為50-70wt%;

  目前市場(chǎng)上有很多的水處理工藝是屬于單一處理的,單一處理常常導(dǎo)致過濾物質(zhì)很快堵塞的問題,采用以上的水處理工藝可減少該問題的出現(xiàn)。
 

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